英飞凌实现全球首个300mm功率氮化镓GaN晶圆技术

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　　英飞凌今日宣布成功开发出全球首个 300mm(12 英寸)功率 GaN(氮化镓)晶圆技术，并率先在现有的可扩展大批量制造环境中掌握这一突破性技术。
　　与 200 mm 晶圆相比，300mm 晶圆上的芯片生产在技术上更先进、效率更高，更大的晶圆直径可以提供2.3 倍的芯片。
　　GaN 基功率半导体正迅速应用于工业、汽车、消费、计算和通信应用，包括 AI 系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统。此外，300mm 晶圆通过可扩展性确保了上级客户供应稳定性。
　　英飞凌科技股份公司 CEO Jochen Hanebeck 在公告中称：“这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。在收购 GaN Systems 近一年后，我们再次证明我们决心成为快速增长的 GaN 市场的领导者。作为电力系统的领导者，英飞凌掌握了所有三种相关材料：硅、碳化硅和氮化镓。”
　　IT之家从英飞凌公告中获悉，英飞凌在其位于奥地利菲拉赫(Villach)的功率晶圆厂中，利用现有的 300mm 硅生产线，成功地在集成中试生产线上制造出 300mm GaN 晶圆，并利用其在现有 300mm 硅和 200mm GaN 生产线上的成熟能力。英飞凌表示将根据市场需求进一步扩大 GaN 产能。