愚愚学园 外文期刊互助外文互助成功 Electronic properties of Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon (SIPOS) doped with oxygen atoms

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peter7890

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楼主发表于: 2016-12-27 14:47

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Electronic properties of Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon (SIPOS) doped with oxygen atoms

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    【作者】M. Hamasaki,   T. Adachi,   S. Wakayama,   M. Kikuchi
    【文章标题】Electronic properties of Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon (SIPOS) doped with oxygen atoms
    【期刊名，年份，卷（期），起止页*****】Solid State Communications, Volume 21, Issue 6, February 1977, Pages 591-593
    【全文链接】http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0038109877900400
或者 DOI号10.1016/0038-1098(77)90040-0

1977年的SD，多谢!

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